光通信MicroLED器件开发资深工程师

岗位职责：

1、器件设计与工艺整合：负责面向光通信应用的高速Micro-LED器件结构设计(包括尺寸缩放、电极图形、台面隔离)，与现有工艺/量产团队深度对接，制定流片方案，主导样品全流程制备及首轮样品产出。

2、研发体系搭建与迭代：建立Micro-LED专用的小尺寸器件直流/高频测试表征体系(包括L-I-V、小信号响应、眼图测试)，制定标准化测试流程，带领团队高效完成“设计-流片-测试-反馈”循环迭代。

3、项目全周期管理：负责具体项目拆解与执行，制定微纳加工关键节点(如光刻对准精度、ICP刻蚀侧壁角度、金属电极合金化)的里程碑，严格把控项目进度，确保按时达成带宽或良率交付目标。

4、团队技术赋能：系统梳理Micro-LED尺寸效应、载流子输运与调制带宽的物理关联，通过定期技术研讨与实战带教，快速培养团队在光通信专用Micro-LED领域的器件物理思维与工程直觉。

任职要求：

1、器件物理功底：精通小尺寸Micro-LED的尺寸效应物理机制，深刻理解量子限制斯塔克效应(QCSE)对辐射复合速率的影响，能设计降低RC常数、优化电流拥挤效应的器件版图与掺杂结构

2、仿真与设计能力：熟练使用Silvaco、Crosslight或APSYS进行Micro-LED能带计算与I-V特性仿真;能结合LumericalFDTD或RSoft进行微纳光学模式提取与光提取效率优化。

3、高频测试专长：具备Micro-LED高频动态测试实战经验，熟练搭建并使用矢量网络分析仪(VNA)进行S参数测试，能准确提取器件的寄生电阻、电容，并完成小信号等效电路模型拟合。

4、化合物工艺理解：熟悉三五族(GaAs/nP/GaN基)Micro-LED的微纳加工全流程，尤其是ICP干法刻蚀、侧壁钝化层沉积(如ALD-Al2O3)、ITO透明电极制备等关键工艺，能与工艺线工程师高效沟通参数窗口。

招聘名额：

1人